NTLGD3502NT1G
onsemi
Deutsch
Artikelnummer: | NTLGD3502NT1G |
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Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 6-DFN (3x3) |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 4.3A, 4.5V |
Leistung - max | 1.74W |
Verpackung / Gehäuse | 6-VDFN Exposed Pad |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 480pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 4.5V |
FET-Merkmal | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 4.3A, 3.6A |
Konfiguration | 2 N-Channel (Dual) |
Grundproduktnummer | NTLGD35 |
NTLGD3502NT1G Einzelheiten PDF [English] | NTLGD3502NT1G PDF - EN.pdf |
MOSFET N/P-CH 8V 2.5A 6-WDFN
ON QFN
MOSFET P-CH 20V 2.3A 6DFN
MOSFET N-CH 20V 2.8A 6DFN
MOSFET 2P-CH 12V 2.4A 6WDFN
MOSFET 4N-CH 24V 11.4A 16PIN
MOSFET P-CH 20V 2.3A 6DFN
MOSFET 2P-CH 12V 2.4A 6WDFN
MOSFET N-CH 20V 2.8A 6DFN
HIGH FLEXIBILITY TRIGGER POWER C
HIGH FLEXIBILITY TRIGGER POWER C
MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() NTLGD3502NT1Gonsemi |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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